MOSFET device pagpili sa pagkonsiderar sa tanan nga mga aspeto sa mga butang, gikan sa gamay sa pagpili sa N-type o P-type, package type, dako sa MOSFET boltahe, on-resistance, ug uban pa, lain-laing mga kinahanglanon aplikasyon lain-laing mga.Ang mosunod nga artikulo nag-summarize sa MOSFET device nga pagpili sa 3 mayor nga mga lagda, ako nagtuo nga human sa pagbasa ikaw adunay usa ka dako nga deal.
1. Usa ka lakang sa pagpili sa Power MOSFET: P-tube, o N-tube?
Adunay duha ka matang sa power MOSFETs: N-channel ug P-channel, sa proseso sa disenyo sa sistema sa pagpili sa N-tube o P-tube, sa aktuwal nga aplikasyon nga piho nga pilion, N-channel MOSFETs sa pagpili sa modelo, ubos nga gasto;P-channel MOSFETs sa pagpili sa modelo nga dili kaayo, taas nga gasto.
Kung ang boltahe sa S-pole nga koneksyon sa gahum MOSFET dili ang reference ground sa sistema, ang N-channel nagkinahanglan sa usa ka floating ground power supply drive, transformer drive o bootstrap drive, drive circuit complex;P-channel mahimong direkta nga gimaneho, drive yano.
Kinahanglan nga tagdon ang N-channel ug P-channel nga mga aplikasyon sa panguna
a.Ang mga notebook sa kompyuter, desktop ug server nga gigamit sa paghatag sa CPU ug system cooling fan, printer feeding system motor drive, vacuum cleaners, air purifiers, electric fan ug uban pang mga home appliances motor control circuit, kini nga mga sistema naggamit sa full-bridge circuit structure, matag tulay nga bukton sa tubo magamit P-tube, mahimo usab nga gamiton N-tube.
b.Sistema sa komunikasyon 48V input system sa hot-plug MOSFETs nga gibutang sa taas nga tumoy, mahimo nimong gamiton ang P-tubes, mahimo usab nimo gamiton ang N-tubes.
c.Notebook computer input circuit sa serye, nagdula sa papel sa anti-reverse nga koneksyon ug load switching duha ka back-to-back power MOSFETs, ang paggamit sa N-channel kinahanglan nga kontrolon ang chip internal integrated drive charge pump, ang paggamit sa P-channel mahimong direkta nga gimaneho.
2. Pagpili sa matang sa pakete
Power MOSFET channel matang sa pagtino sa ikaduhang lakang sa pagtino sa package, package pagpili nga mga prinsipyo mao ang.
a.Ang pagtaas sa temperatura ug disenyo sa thermal mao ang labing sukaranan nga kinahanglanon alang sa pagpili sa pakete
Ang lainlaing mga gidak-on sa pakete adunay lainlain nga resistensya sa kainit ug pagkawala sa gahum, dugang sa pagkonsiderar sa mga kondisyon sa kainit sa sistema ug ang temperatura sa palibot, sama sa kung adunay pagpabugnaw sa hangin, porma sa heat sink ug mga pagdili sa gidak-on, kung sirado ang palibot ug uban pang mga hinungdan, ang sukaranan nga prinsipyo mao ang pagsiguro sa pagtaas sa temperatura sa gahum sa MOSFET ug sa pagkaayo sa sistema, ang pasiuna sa pagpili sa mga parameter ug pagputos sa mas kinatibuk-ang gahum sa MOSFET.
Usahay tungod sa ubang mga kondisyon, ang panginahanglan sa paggamit sa daghang mga MOSFET nga managsama aron masulbad ang problema sa pagkawala sa kainit, sama sa mga aplikasyon sa PFC, mga kontrol sa motor sa de-koryenteng salakyanan, mga sistema sa komunikasyon, sama sa module nga suplay sa kuryente nga ikaduha nga kasabay nga mga aplikasyon sa pagtul-id, gipili sa parallel sa daghang mga tubo.
Kung ang multi-tube parallel nga koneksyon dili magamit, dugang sa pagpili sa usa ka power MOSFET nga adunay mas maayo nga performance, dugang pa, ang usa ka mas dako nga gidak-on nga pakete o usa ka bag-ong matang sa pakete mahimong magamit, pananglitan, sa pipila ka AC / DC power supply TO220 ang usbon sa TO247 package;sa pipila ka mga suplay sa kuryente sa sistema sa komunikasyon, ang bag-ong DFN8 * 8 nga pakete gigamit.
b.Limitasyon sa gidak-on sa sistema
Ang ubang mga elektronik nga sistema limitado sa gidak-on sa PCB ug sa gitas-on sa sulod, sama sa module nga suplay sa kuryente sa mga sistema sa komunikasyon tungod sa gitas-on sa mga pagdili kasagarang naggamit sa DFN5 * 6, DFN3 * 3 nga pakete;sa pipila ka ACDC power supply, ang paggamit sa ultra-manipis nga disenyo o tungod sa mga limitasyon sa kabhang, asembliya TO220 package gahum MOSFET lagdok direkta ngadto sa gamut, ang gitas-on sa mga pagdili dili magamit TO247 package.
Ang pipila ka mga ultra-manipis nga disenyo direkta nga nagduko sa mga pin sa aparato nga patag, kini nga proseso sa paghimo sa disenyo mahimong komplikado.
Sa disenyo sa dako nga kapasidad nga lithium battery protection board, tungod sa hilabihan ka mapintas nga mga pagdili sa gidak-on, kadaghanan karon naggamit sa chip-level nga CSP nga pakete aron sa pagpalambo sa thermal performance kutob sa mahimo, samtang gisiguro ang pinakagamay nga gidak-on.
c.Pagkontrol sa gasto
Sayo sa daghan nga mga electronic nga mga sistema sa paggamit sa plug-in package, niini nga mga tuig tungod sa dugang nga labor gasto, daghang mga kompanya nagsugod sa pagbalhin ngadto sa SMD package, bisan tuod ang welding gasto sa SMD kay sa plug-in nga hatag-as nga, apan ang taas nga ang-ang sa automation sa SMD welding, ang ang kinatibuk-ang gasto mahimo gihapon nga kontrolon sa usa ka makatarunganon nga range.Sa pipila ka mga aplikasyon sama sa mga desktop motherboard ug mga tabla nga hilabihan ka sensitibo sa gasto, ang mga power MOSFET sa mga pakete sa DPAK kasagarang gigamit tungod sa ubos nga gasto niini nga pakete.
Busa, sa pagpili sa gahum MOSFET package, sa combine estilo sa ilang kaugalingon nga kompanya ug mga bahin sa produkto, sa pagkuha sa ngadto sa asoy sa mga butang sa ibabaw.
3. Pilia ang on-state resistance RDSON, timan-i: dili kasamtangan
Daghang mga higayon nga ang mga inhenyero nabalaka bahin sa RDSON, tungod kay ang RDSON ug pagkawala sa conduction direkta nga may kalabutan, mas gamay ang RDSON, mas gamay ang pagkawala sa gahum sa MOSFET conduction, mas taas ang kahusayan, mas ubos ang pagtaas sa temperatura.
Sa susama, ang mga inhenyero kutob sa mahimo sa pagsunod sa miaging proyekto o sa kasamtangan nga mga sangkap sa materyal nga librarya, kay ang RDSON sa tinuod nga pamaagi sa pagpili wala'y daghan nga gikonsiderar.Sa diha nga ang temperatura pagtaas sa pinili nga gahum MOSFET mao ang ubos kaayo, alang sa gasto rason, mobalhin ngadto sa RDSON mas dako nga mga sangkap;kung ang pagtaas sa temperatura sa gahum MOSFET labi ka taas, ang pagkaayo sa sistema gamay, mobalhin sa RDSON nga mas gagmay nga mga sangkap, o pinaagi sa pag-optimize sa external drive circuit, pagpauswag sa paagi sa pag-adjust sa pagkawala sa kainit, ug uban pa.
Kung kini usa ka bag-ong proyekto, wala’y nauna nga proyekto nga sundon, kung giunsa pagpili ang gahum MOSFET RDSON? Ania ang usa ka pamaagi aron ipaila kanimo: pamaagi sa pag-apod-apod sa konsumo sa kuryente.
Kung nagdesinyo sa usa ka sistema sa suplay sa kuryente, ang nahibal-an nga mga kondisyon mao ang: sakup sa boltahe sa input, boltahe sa output / output karon, kahusayan, frequency sa pag-operate, boltahe sa pagmaneho, siyempre, adunay uban pang mga teknikal nga indikasyon ug mga MOSFET sa gahum nga may kalabutan sa kini nga mga parameter.Ang mga lakang mao ang mosunod.
a.Sumala sa input boltahe range, output boltahe / output kasamtangan, efficiency, kuwentahon ang maximum nga pagkawala sa sistema.
b.Power sirkito bakak nga mga kapildihan, non-gahum sa sirkito component static nga pagkawala, IC static nga pagkawala ug drive pagkawala, sa paghimo sa usa ka bagis nga banabana, ang empirical bili mahimong account alang sa 10% ngadto sa 15% sa kinatibuk-ang pagkawala.
Kung ang power circuit adunay kasamtangan nga sampling resistor, kuwentaha ang konsumo sa kuryente sa kasamtangan nga sampling resistor.Kinatibuk-ang pagkawala minus kini nga mga pagkawala sa ibabaw, ang nahabilin nga bahin mao ang power device, transformer o inductor power loss.
Ang nahabilin nga pagkawala sa kuryente igahin sa power device ug transformer o inductor sa usa ka proporsyon, ug kung dili ka sigurado, ang kasagaran nga pag-apod-apod sa gidaghanon sa mga sangkap, aron makuha nimo ang pagkawala sa kuryente sa matag MOSFET.
c.Ang pagkawala sa kuryente sa MOSFET gigahin sa pagkawala sa pagbalhin ug pagkawala sa pagpadagan sa usa ka piho nga proporsyon, ug kung dili sigurado, ang pagkawala sa pagbalhin ug pagkawala sa pagpadagan parehas nga gigahin.
d.Pinaagi sa MOSFET conduction loss ug ang RMS nga nagdagayday, kuwentaha ang maximum allowable conduction resistance, kini nga resistensya mao ang MOSFET sa maximum operating junction temperature RDSON.
Data sheet sa gahum MOSFET RDSON gimarkahan sa usa ka gihubit nga mga kahimtang sa pagsulay, sa lain-laing mga gihubit nga mga kahimtang adunay lain-laing mga bili, ang pagsulay temperatura: TJ = 25 ℃, RDSON adunay usa ka positibo nga temperatura coefficient, mao nga sumala sa labing taas nga operating junction temperatura sa MOSFET ug RDSON temperatura coefficient, gikan sa ibabaw RDSON kalkulado bili, sa pagkuha sa katugbang nga RDSON sa 25 ℃ temperatura.
e.RDSON gikan sa 25 ℃ sa pagpili sa angay nga matang sa gahum MOSFET, sumala sa aktuwal nga mga lantugi sa MOSFET RDSON, ubos o pataas nga trim.
Pinaagi sa mga lakang sa ibabaw, ang preliminary selection sa power MOSFET model ug RDSON parameters.
Kini nga artikulo gikuha gikan sa network, palihug kontaka kami aron mapapas ang paglapas, salamat!
Ang Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. naggama ug nag-eksport sa lainlaing gagmay nga mga makina sa pagpili ug lugar sukad sa 2010. Gipahimuslan ang among kaugalingon nga adunahan nga eksperyensiyado nga R&D, maayo nga nabansay nga produksiyon, ang NeoDen nakadaog og maayong reputasyon gikan sa tibuuk kalibutan nga mga kostumer.
Uban sa global nga presensya sa sobra sa 130 ka mga nasud, ang maayo kaayo nga pasundayag, taas nga katukma ug kasaligan sa mga makina sa NeoDen PNP naghimo kanila nga perpekto alang sa R&D, propesyonal nga prototyping ug gamay hangtod sa medium nga produksiyon sa batch.Naghatag kami og propesyonal nga solusyon sa usa ka paghunong nga kagamitan sa SMT.
Idugang: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Zhejiang Province, China
Telepono: 86-571-26266266
Panahon sa pag-post: Abr-19-2022